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第三代半導(dǎo)體作為一種理想的半導(dǎo)體材料,在新一代信息技術(shù)、新基建等領(lǐng)域得到了愈發(fā)廣泛的應(yīng)用。對(duì)于國(guó)內(nèi)企業(yè)而言,要獲取市場(chǎng)信任,檢測(cè)是證明第三代半導(dǎo)體質(zhì)量與可靠性的可行手段,同時(shí)也是提高其質(zhì)量可靠性的重要保障。廣電計(jì)量第三代半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證與評(píng)價(jià)可加急檢測(cè)特意推出第三代半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證與評(píng)價(jià)服務(wù),助力企業(yè)產(chǎn)品高效發(fā)展。
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更新日期:2024-09-04
在線留言品牌 | 廣電計(jì)量 | 加工定制 | 是 |
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服務(wù)區(qū)域 | 全國(guó) | 服務(wù)周期 | 常規(guī)3-5天 |
服務(wù)類型 | 元器件篩選及失效分析 | 服務(wù)資質(zhì) | CMA/CNAS認(rèn)可 |
證書報(bào)告 | 中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告 | 增值服務(wù) | 可加急檢測(cè) |
是否可定制 | 是 | 是否有發(fā)票 | 是 |
第三代半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證與評(píng)價(jià)可加急檢測(cè)服務(wù)背景
在第三代半導(dǎo)體的代表中,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)目前是技術(shù)較為成熟的材料,*的性能使其在新一代運(yùn)動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。SiC、GaN器件憑借杰出的系統(tǒng)性能,給許多應(yīng)用帶來更高的效率和功率密度,以及更低的系統(tǒng)成本。然而,與所有的新技術(shù)一樣,SiC、GaN器件必須全面嚴(yán)格地遵循技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)程序。
第三代半導(dǎo)體可靠性驗(yàn)證與評(píng)價(jià)可加急檢測(cè)服務(wù)內(nèi)容
廣電計(jì)量圍繞JEDEC系列標(biāo)準(zhǔn),從三方面進(jìn)行技術(shù)能力布局:
1、識(shí)別潛在的失效模式和失效機(jī)制,并根據(jù)目標(biāo)壽命設(shè)計(jì)確認(rèn)測(cè)試;
2、將樣品置于適當(dāng)?shù)目煽啃詰?yīng)力下,以加速激發(fā)潛在的失效機(jī)制;
3、完成加速應(yīng)力后,對(duì)樣品進(jìn)行測(cè)試,以確定其性能是否仍可接受。
針對(duì)SiC分立器件和模塊,廣電計(jì)量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行檢測(cè)驗(yàn)證,能力不僅覆蓋用于驗(yàn)證傳統(tǒng)Si器件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的所有方法,還開發(fā)了針對(duì)SiC器件不同運(yùn)行模式的特定試驗(yàn),見表1。
表1 SiC器件特定可靠性試驗(yàn)
試驗(yàn) | 試驗(yàn)條件 |
HV-H3TRB | VDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h |
HTRB和負(fù)電壓 | VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h |
動(dòng)態(tài)H3TRB | VDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h |
動(dòng)態(tài)反向偏壓(DRB) | VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h |
動(dòng)態(tài)柵偏(DGS) | 次數(shù)≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C |
HTFB | SiC體二極管雙極退化 |
CaN器件的質(zhì)量及可靠性驗(yàn)證以JEDEC和AECQ101為基準(zhǔn)進(jìn)行,見表2,并針對(duì)GaN器件和Si基器件之間的差異實(shí)施表3試驗(yàn)。
表2 通用可靠性試驗(yàn)
試驗(yàn) | 試驗(yàn)條件 |
HTRB | Tj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h |
HTGB | Tj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h |
H3TRB | Tj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h |
TC | -40°C to +125°C,≥1000cycles |
HTS | Ta=150°C,t≥1000h |
IOL | DTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles |
ESD | HBM+CDM |
MSL3 | Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles |
表3 CaN器件特定試驗(yàn)
試驗(yàn) | 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) |
開關(guān)加速耐久試驗(yàn) | JEP122,JEP180 |
動(dòng)態(tài)高溫工作壽命 | |
動(dòng)態(tài)Rdon測(cè)試 | JEP173 |
持續(xù)開關(guān)測(cè)試 | JEP182 |