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半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)CNAS認(rèn)可

簡要描述:

廣電計(jì)量半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)CNAS認(rèn)可提供半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)服務(wù),提供半導(dǎo)體材料元素成分分析,結(jié)構(gòu)分析,微觀形貌分析測試服務(wù),CNAS資質(zhì)認(rèn)可,幫助客戶全面了解半導(dǎo)體材料理化特性。

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更新日期:2024-09-04

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半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)CNAS認(rèn)可
品牌廣電計(jì)量加工定制
服務(wù)區(qū)域全國服務(wù)周期常規(guī)3-5天
服務(wù)類型元器件篩選及失效分析服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS認(rèn)可
證書報(bào)告中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告增值服務(wù)可加急檢測
是否可定制是否有發(fā)票

半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)CNAS認(rèn)可服務(wù)范圍

半導(dǎo)體材料、有機(jī)小分子材料、高分子材料、有機(jī)/無機(jī)雜化材料、無機(jī)非金屬材料。


檢測項(xiàng)目

(1)半導(dǎo)體材料元素成分分析:EDS 元素分析,X 射線光電子能譜(XPS)元素分析;

(2)半導(dǎo)體材料分子結(jié)構(gòu)分析:FT-IR 紅外光譜分析,X 射線衍射(XRD)光譜分析,核磁共振波普分析(H1NMR、C13NMR);

(3)半導(dǎo)體材料微觀形貌分析:雙束聚焦離子束(DB FIB)切片分析,場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)微觀形貌量測與觀察,原子力顯微鏡(AFM)表面形貌觀察。


相關(guān)資質(zhì)

CNAS


半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)分析與評價(jià)CNAS認(rèn)可服務(wù)背景

隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展,芯片制程工藝日趨復(fù)雜,半導(dǎo)體材料微結(jié)構(gòu)及成分異常阻礙著芯片良率的提高,為半導(dǎo)體及集成電路新工藝的實(shí)施帶來了極大的挑戰(zhàn)。


我們的優(yōu)勢

(1)芯片晶圓級剖面制備及電子學(xué)分析,基于聚焦離子束技術(shù)(DB-FIB),對芯片局部區(qū)域進(jìn)行精確切割,并實(shí)時進(jìn)行電子學(xué)成像,可得到芯片剖面結(jié)構(gòu),成分等重要工藝信息;

(2)半導(dǎo)體制造相關(guān)材料理化特性分析,包括有機(jī)高分子材料、小分子材料、無機(jī)非?屬材料的成分分析、分子結(jié)構(gòu)分析等;

(3)半導(dǎo)體物料污染物分析方案的制定與實(shí)施。可幫助客戶全面了解污染物的理化特性,包括:化學(xué)成分組成分析、成分含量分析、分子結(jié)構(gòu)分析等物理與化學(xué)特性分析。



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