雙束掃描電子顯微鏡檢測CMA/CNAS認可服務內(nèi)容

廣電計量的DB-FIB均配備了納米機械手，氣體注入系統(tǒng)（GIS）和能譜EDX，能夠滿足各種基本和高階的半導體失效分析需求。還將持續(xù)不斷地投入先進電子顯微分析設備，不斷提升和擴充半導體失效分析相關能力，為客戶提供細致且全面深入的失效分析解決方案。

服務范圍

目前DB-FIB被廣泛應用于陶瓷材料、高分子、金屬材料、生物、半導體、地質(zhì)學等領域的研究和相關產(chǎn)品檢測。

檢測標準

廣電計量執(zhí)行：國家標準（GB/T）、國家汽車行業(yè)標準（QC/T）、國際標準（ISO）、以及國內(nèi)外各大汽車主機廠標準。

測試項目

1、定點截面加工

2、TEM樣品成像分析

3、選擇性刻蝕或增強刻蝕檢驗

4、金屬材料沉積和絕緣層沉積測試

檢測資質(zhì)

CNAS、CMA

檢測周期

常規(guī)5-7個工作日

雙束掃描電子顯微鏡檢測CMA/CNAS認可服務背景

著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發(fā)展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。

 FIB雙束掃描電鏡是指同時具有聚焦離子束(FocusedIonBeam，F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope，SEM)功能的儀器。它可以實現(xiàn)SEM實時觀測FIB微加工過程的功能，把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優(yōu)勢集于一身。其中，F(xiàn)IB是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過加速，再聚焦于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號形成電子像，或強電流離子束對樣品表面刻蝕，進行微納形貌加工，通常是結合物理濺射和化學氣體反應，有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。

我們的優(yōu)勢

廣電計量聚焦集成電路失效分析技術，擁有專家團隊及目前市場上先進的Ga-FIB系列設備，可為客戶提供完整的失效分析檢測服務，幫助制造商快速準確地定位失效，找到失效根源。同時，我們可針對客?的研發(fā)需求，提供不同應?下的失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展實驗規(guī)劃、以及分析測試服務，如配合客戶開展NPI階段驗證，在量產(chǎn)階段(MP)協(xié)助客戶完成批次性失效分析。