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IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試

簡(jiǎn)要描述:

廣電計(jì)量專家團(tuán)隊(duì)深入解讀IGBT測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),建立功率模塊可靠性驗(yàn)證技術(shù)能力,可以為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試驗(yàn)證報(bào)告。

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更新日期:2024-09-04

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IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試
品牌廣電計(jì)量加工定制
服務(wù)區(qū)域全國(guó)服務(wù)周期常規(guī)3-5天
服務(wù)類型元器件篩選及失效分析服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS認(rèn)可
證書報(bào)告中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告增值服務(wù)可加急檢測(cè)
是否可定制是否有發(fā)票

IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試服務(wù)范圍

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。


IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

l  AEC-Q101分器件認(rèn)證

l  MIL-STD-750半導(dǎo)體器件試驗(yàn)?法

l  IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l  GB/T29332半導(dǎo)體器件-器件-9部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

l  AQG324功率模塊?規(guī)認(rèn)證


檢測(cè)項(xiàng)目


試驗(yàn)類型

試驗(yàn)項(xiàng)?

靜態(tài)參數(shù)

BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…

動(dòng)態(tài)參數(shù)

td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…

其他參數(shù)

Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…



相關(guān)資質(zhì)

CNAS


服務(wù)背景

功率器件在新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,其中,IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破,第三代半導(dǎo)體功率器件也開始由實(shí)驗(yàn)室階段步?商業(yè)應(yīng)用。通常這些新型器件測(cè)試要求更?的電壓和功率?平,更快的開關(guān)時(shí)間,對(duì)測(cè)試設(shè)備及人員技術(shù)要求?,在研發(fā)時(shí)間與成本的雙重壓力下,全參數(shù)測(cè)試成為不少制造商的難題。


我們的優(yōu)勢(shì)

廣電計(jì)量積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試業(yè)務(wù),引進(jìn)測(cè)試技術(shù),為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測(cè)服務(wù)。同時(shí),廣電計(jì)量通過構(gòu)筑檢測(cè)認(rèn)證與分析?體化平臺(tái),為客?提供器件可靠性驗(yàn)證及失效分析,幫助客戶分析失效機(jī)理,指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計(jì)及?藝改進(jìn)。


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